ショットキーバリアダイオード

ショットキーバリアダイオードの特徴

ショットキー・バリア・ダイオードはいろいろ表現のしかたがあるようですがこのサイトでは「ショットキーバリアダイオード」または「ショットキーダイオード」 として話を進めさしていただきます。

ショットキーバリアダイオード（ショットキーダイオード）は図１の構造図のように半導体と金属の接触によって生ずる電位障壁というもを利用した ダイオードです。

ＰＮ接合型のダイオードに比較して順方向電圧（電圧降下）が低く、逆回復時間が極端に短いという特徴を持っています。

逆回復特性の優れている HED(High Effciency Diode)は数十nSですがショットキーバリアダイオード（ショットキダイオード）は蓄積キャリアがないため理論上、逆回復時間という パラメータは存在しないのです。（データシートにも記載されていません）

ダイオードの損失は順方向電圧降下と逆回復時間によって決められますから順方向電圧が低く、逆回復時間がないとなれ整流効率の優れたダイオード と言えるでしょう。

ショットキーバリアダイオードの特性

ショットキバリアダイオードは前述したようないいことずくめばかりではありません。
左のＶＩ特性図をご覧いただくと判りますが逆方向電流がＰＮ接合型ダイオードに比べて大きいです。また耐圧も現在のところ１００Ｖ前後です。

コスト面でも同じ電流容量ならＰＮ接合ダイオードに比較して高めです。